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第一百六十章 碳基芯片制作工艺（第1页）

“这一觉睡得真舒服！”

苏其伸了一个懒腰，这次醉酒没有人打扰，他一觉直接睡到了下午两点。

拿出手机点了一个外卖，随后打开app，看看最新的新闻。

“中为要出全华国产自研芯片……xx公司说龙魂eda涉嫌抄袭？……真是脸都不要了！！”

“造谣中为要用自研的芯片是吧……”

苏其笑了起来，“到时候拿出真货，不知道这群人会是個什么反应？”

他想想就有些期待。

如果是之前，那确实只能憋屈的出声明，没有这回事。但现在，有3d堆叠晶体技术，外加存内计算。

两个叠加上去完全可以抹平制程的差距。按照估算40n的芯片就可以对比7n。

完全足够现在芯片使用！

不仅中低端，高端也能满足！

就在他看一群跳的欢快水友笑话时。

忽然，一行字从系统面板上闪现。

新任务来了？

看到提示，苏其眼神一亮，随后急忙打开面板。

【系列任务：星辰永在，华夏永昌——芯片之魂（45）】

【任务内容：改装微型设备的芯片，并获得50000的震惊值】

【任务奖励：碳基芯片制作工艺】

……

“碳基芯片制作工艺，还以为会是光刻机呢！不过这个东西，也是一个好东西！”

看到任务奖励，苏其眼神有些发亮。

目前的芯片都是硅基芯片，而硅基芯片是有限制的。

在保证晶体硅的性质不变的情况下，最小的硅基芯片尺寸极限大约是1n。在这个尺寸之下，硅基芯片的物理性质会发生显著的变化。

也就说硅基芯片的极限就是1n。

而且在制造工艺方面，小于2n的硅基芯片需要采用极端的制造方法，如高能电子束和离子束刻蚀等，这是一个十分复杂，而且难以量产的技术。

但是碳基芯片则不一样，首先它的最低极限就比硅基芯片要高，能达到n级以下。

而最关键的是，碳基芯片的性能是远远好于硅基芯片的，如果用数据类比的话，就是7n的碳基芯片运行速度就可以比拟05n的硅基芯片的运行速度。

两个东西完全不在一个赛道上。

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